共模重磅推出可替代TPS74401高精度低噪声3A LDO高端电源芯GM1203A-2
芯小君
2024-06-20
电源芯片
共模重磅推出可替代TPS74401高精度低噪声3A LDO高端电源芯GM1203A-2『共模半导体』推出高精度低噪声3A LDO稳压器GM1203A-2,GM1203A-2系列产品集低噪声、高PSRR和高输出电流能力等特性于一体,非常适合为高速通信、视频、医疗或测试和测量应用等噪声敏感型组件供电。此外,GM1203A-2系列产品高性能的输出品质,可抑制电源产生的相位噪声和时钟抖动,因此它非常适合为高性能串行器和解串器 (SerDes)、模数转换器 (ADC)、数模转换器(DAC) 和射频组件供电。该器件具备快速负载瞬态响应的性能和大于 5V 的输出能力,尤其适合射频放大器使用。GM1203A-2系列产品介绍GM1203A-2是一款低噪声、低压差线性稳压器(LDO),可提供3A 输出电流,最大压降为210mV。该器件提供两种输出电压范围:(1)0.5V 至 3.65V 范围内以 50mV 的分辨率通过引脚进行编程;(2)通过外部电阻分压器在0.5V 至 5.5V 范围内进行调节。GM1203A-2系列产品集低噪声、高 PSRR 和高输出电流能力等特性于一体,非常适合为高速通信、视频、医疗或测试和测量应用等噪声敏感型组件供电。对于需要以低输入和低输出电压运行的数字负载(例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)和数字信号处理器(DSP)),GM1203A-2所具备的高精度(在线路、负载和温度范围内可达 1%)、快速瞬态响应性能和软启动能力可确保实现出色的系统性能。外部使能控制和电源良好指示功能够更容易的进行时序控制。GM1203A-2采用20引脚5mm×5mmQFN 封装,结温范围为TJ=-40°C to +125°C 和TJ=-55°C to+125°C。 GM1203A-2可替代TI的TPS74401、TPS74901等系列产品。产品特性低压差:3A 电流时为 210mV(最大值)线路、负载和全温度范围内的精度为±1%输出电压噪声:3µVRMS/0.5VOUT输入电压范围:–无偏置:1.5V 至 6.5V–有偏置:1.1V 至 6.5VGM1203A-2 输出电压范围:–可调节工作电压范围:0.5V 至 5.5V–管脚调节工作电压范围:0.5V 至 3.65V电源纹波抑制:42dB/500kHz快速负载瞬态响应可调软启动浪涌控制输出使能控制开漏电源正常(PG)输出主要应用远程无线电单元有源天线系统mMIMO超声波扫描仪现场仪表传感器、成像和雷达
共模半导体:高性能高可靠性低压差线性电源芯片(LDO)
芯小君.
2024-06-18
电源芯片
一、什么是LDOLDO是Low Dropout Regulator的缩写,意思是低压差线性稳压器。低压差是指输入电压-输出电压的值比较低。传统的线性稳压器压差高达2V,而LDO的压差只有几百mV。线性指调整管PMOS基本处于线性工作状态。二、LDO工作原理下图给出了LDO的原理框图:LDO 原理框图LDO是一个负反馈系统,当VOUT增大,R2上电压增大,比较放大器输出电压增大,调整管PMOS的VGS电压减小,这样PMOS输出电流减小,输出电压也减小。所有的LDO都是同样的负反馈原理。我们经常拿LDO与DCDC做对比,两者的原理差别很大,特性也不一样:LDO简单,功率小,效率低,噪声非常低。DCDC复杂,功率大,效率高,噪声也很高。重点说明一下,LDO有非常好的噪声隔离作用,具体指标是PSRR,它表示输出噪声对输入噪声的比值。在一些对噪声敏感的电路中,如ADC,DAC,Camera sensor模拟电压等,必须选择LDO,而且是高PSRR的LDO,而不是DCDC。三、LDO的应用1.用于数字负载的LDO数字负载的LDO是用来支持系统的数字部分电源需求而设计的,通常是微处理器核心和系统输入/输出(I/O)电路。DSP和微控制器的LDO必须具有良好的效率和处理高和快速变化的电流。数字负载的重要特性是线路和负载调节和瞬态欠冲和超调。当为低压微处理器核心供电时,精确的输出控制在任何时候都是非常重要的;不充分的调节可以使核心被闩锁。这些参数并不总是出现在电气性能表中,瞬态响应图可能会显示出响应瞬态信号的上升和下降速度。线路和负载调节可以表示为在特定输入电压或负载电流下,输出电压与二者变化、实际V/I值或两者的偏差百分比。为了节省能源,给数字供电的LDO的设计具有一定的智能控制功能以提高电池寿命,便携式系统在软件闲置时可以进行长时间的低功耗运行。在不活动期间,系统进入睡眠状态,要求LDO关闭,消耗少于1μA。当LDO处于关机模式时,所有的电路,都被关闭。当系统恢复到活动模式时,需要快速开启时间,在此期间需要数字供电电压不能过调。过度的超调可能会导致系统闩锁,有时需要拆卸电池或激活主复位按钮,以纠正问题并重新启动系统。2.用于模拟和射频负载的LDO低噪声和高电源纹波抑制比(PSRR)对于模拟环境中使用的LDO非常重要,因为模拟设备比数字设备对噪声更敏感。模拟和射频负载的LDO需求主要由无线接口驱动,不损害接收器或发射器,并在音频系统中不产生嗡嗡声。无线连接极易受到噪声的影响,如果噪声干扰信号,接收机的有效性将会降低。当考虑一个给模拟供电的LDO时,重要的是该设备要抑制来自上游源和下游负载的噪声,同时不增加进一步的噪声。四、高性能高可靠性LDO GM1203共模半导体在前期推出超高电源纹波抑制比(PSRR)LDO GM1200产品后,再推出一款高端电源芯片:GM1203AACPZ,是一款可提供3A输出电流的低噪声LDO,结合了高电源纹波抑制比 (PSRR)、低压差和宽输入电压范围,使其成为最大限度降低电压纹波的理想选择,可以替代***8400A***、***8401A***及***8400***。性能指标对比如下,GM1203AACPZ部分指标有所超越,可实现P2P的替代:GM1203AACPZ集低噪声、高PSRR和高输出电流能力等特性于一体,非常适合为高速通信、视频、医疗或测试和测量应用等噪声敏感型组件供电。GM1203AACPZ高性能的输出品质,可抑制电源产生的相位噪声和时钟抖动,因此它非常适合为高性能串行器和解串器(SerDes)、模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和射频组件供电。该器件具备快速负载瞬态响应的性能和大于5V的输出能力,尤其适合射频放大器使用。对于需要以低输入和低输出电压运行的数字负载(例如专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)和数字信号处理器(DSP)),GM1203AACPZ所具备的高精度(在线路、负载和温度范围内可达1%)、快速瞬态响应性能和软启动能力可确保实现出色的系统性能。外部使能控制和电源良好指示功能够更容易的进行时序控制。GM1203AACPZ有两种封装形式:(1)GM1203AACPZ-1-R7采用 20 脚 3.5mm×3.5mm QFN封装,购买链接:https://item.szlcsc.com/6026369.html(2)GM1203AACPZ-2-R7 采用20 脚 5mm×5mm QFN 封装,即将推出。
PWM模式下TPS61088RHLT全集成同步升压转换器发热与纹波问题及解决方案
华工RobotIC实验室
2023-12-13
电源芯片
特性:1.DC-DC2.输入电压范围2.7V-12V3.输出电压范围4.5V-12.6V4. 10A 开关电流5.可调开关频率:200kHz 至 2.2MHz6.过压保护(13.2V)7.过流保护7.热关断8.效率高达 91%(VIN = 3.3V、VOUT = 9V 且 IOUT = 3 A 时)9.模式选择;PWM模式与PFM模式。功能框图 经典应用电路 应用场景笔者选用TPS61088RHTL将输入5V升作10V作为TPA3110D2数字功放供电,负载电流约在2A以下,要求纹波电压小于100mv。选择PWM模式作为开关电源工作模式。遭遇问题1. 进行负载测试测试期间,发现负载超过2A时发热严重,工作约70秒后SW引脚温度超过120度,触发芯片热关断。2. 本应用设置开关频率为500khz,电流上限为11.9A。根据数据手册公式:计算电感值约为10uh,选用系统推荐输出电容搭配22uf*3加1uf电容*1。在实际测试中发现电压纹波超过300mv,纹波过大。解决手段1. Ipeak为电感温度升高的主要原因,基于经典boost电路拓扑结构中电感峰值电流   推测由于电感值过大导致Ipeak过大,引起SW端发热严重。经测试,改用较小感值电感可大幅减小发热问题,在电感值为4.7uh时最为稳定。(测试负载为2A电流,测试时长为5min)。除解决发热问题外,选用较小感值电感还会减少约50mv的纹波。为保险起见,笔者还在芯片背面添加散热片,并在后续迭代版本的布板中增加SW引脚附近过孔数量及将多个SW脚通过覆盖SW网络的方式以增加散热能力。2. 基于公式以及电容对电压的稳定特性:笔者决定采用增加并联电容以减小ESR以及增加容值的方法来减小纹波。经测试,通过并联22uf陶瓷电容至约176uf时,在2A负载下可使纹波电压稳定在100mv以下。焊接注意事项TPS61088RHLT为一款VQFN封装的芯片,在电路验证过程中曾出现两次无法正常升压稳定输出4.7V的现象。首次问题经排查发现由于Ilim端限流电阻虚焊导致SW脚输出占空比过大的PWM波而升压出现错误;首次问题经排查发现是SW无法正常输出PWM波,通过给SW引脚加锡解决;以上可供读者参考作着手点排查类似电路故障。建议有能力尽量选用焊台进行芯片焊接以减少虚焊风险。(作者:冯子辰)

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