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共模半导体:高性能高可靠性低压差线性电源芯片(LDO)

一、什么是LDO

 

LDO是Low Dropout Regulator的缩写,意思是低压差线性稳压器。 低压差是指输入电压-输出电压的值比较低。传统的线性稳压器压差高达2V,而LDO的压差只有几百mV。 线性指调整管PMOS基本处于线性工作状态。

 

二、LDO工作原理

下图给出了LDO的原理框图:

 

  

LDO 原理框图

 

LDO是一个负反馈系统,当VOUT增大,R2上电压增大,比较放大器输出电压增大,调整管PMOS的VGS电压减小,这样PMOS输出电流减小,输出电压也减小。所有的LDO都是同样的负反馈原理。我们经常拿LDO与DCDC做对比,两者的原理差别很大,特性也不一样:LDO简单,功率小,效率低,噪声非常低。DCDC复杂,功率大,效率高,噪声也很高。

 

重点说明一下,LDO有非常好的噪声隔离作用,具体指标是PSRR,它表示输出噪声对输入噪声的比值。在一些对噪声敏感的电路中,如ADC,DAC,Camera sensor模拟电压等,必须选择LDO,而且是高PSRR的LDO,而不是DCDC。

 

三、LDO的应用

 

1.用于数字负载的LDO

数字负载的LDO是用来支持系统的数字部分电源需求而设计的,通常是微处理器核心和系统输入/输出(I/O)电路。DSP和微控制器的LDO必须具有良好的效率和处理高和快速变化的电流。

 

数字负载的重要特性是线路和负载调节和瞬态欠冲和超调。当为低压微处理器核心供电时,精确的输出控制在任何时候都是非常重要的;不充分的调节可以使核心被闩锁。这些参数并不总是出现在电气性能表中,瞬态响应图可能会显示出响应瞬态信号的上升和下降速度。线路和负载调节可以表示为在特定输入电压或负载电流下,输出电压与二者变化、实际V/I值或两者的偏差百分比。

 

为了节省能源,给数字供电的LDO的设计具有一定的智能控制功能以提高电池寿命,便携式系统在软件闲置时可以进行长时间的低功耗运行。在不活动期间,系统进入睡眠状态,要求LDO关闭,消耗少于1μA。当LDO处于关机模式时,所有的电路,都被关闭。当系统恢复到活动模式时,需要快速开启时间,在此期间需要数字供电电压不能过调。过度的超调可能会导致系统闩锁,有时需要拆卸电池或激活主复位按钮,以纠正问题并重新启动系统。

 

  

 


2.用于模拟和射频负载的LDO

低噪声和高电源纹波抑制比(PSRR)对于模拟环境中使用的LDO非常重要,因为模拟设备比数字设备对噪声更敏感。模拟和射频负载的LDO需求主要由无线接口驱动,不损害接收器或发射器,并在音频系统中不产生嗡嗡声。无线连接极易受到噪声的影响,如果噪声干扰信号,接收机的有效性将会降低。当考虑一个给模拟供电的LDO时,重要的是该设备要抑制来自上游源和下游负载的噪声,同时不增加进一步的噪声。

 

 

 

 

 

四、高性能高可靠性LDO GM1203

 

共模半导体在前期推出超高电源纹波抑制比(PSRR)LDO GM1200产品后,再推出一款高端电源芯片:GM1203AACPZ,是一款可提供3A输出电流的低噪声LDO,结合了高电源纹波抑制比 (PSRR)、低压差和宽输入电压范围,使其成为最大限度降低电压纹波的理想选择,可以替代***8400A***、***8401A***及***8400***。性能指标对比如下,GM1203AACPZ部分指标有所超越,可实现P2P的替代:

 

  

 

GM1203AACPZ集低噪声、高PSRR和高输出电流能力等特性于一体,非常适合为高速通信、视频、医疗或测试和测量应用等噪声敏感型组件供电。GM1203AACPZ高性能的输出品质,可抑制电源产生的相位噪声和时钟抖动,因此它非常适合为高性能串行器和解串器(SerDes)、模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和射频组件供电。该器件具备快速负载瞬态响应的性能和大于5V的输出能力,尤其适合射频放大器使用。

 

对于需要以低输入和低输出电压运行的数字负载(例如专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)和数字信号处理器(DSP)),GM1203AACPZ所具备的高精度(在线路、负载和温度范围内可达1%)、快速瞬态响应性能和软启动能力可确保实现出色的系统性能。外部使能控制和电源良好指示功能够更容易的进行时序控制。

 

GM1203AACPZ有两种封装形式:
1)GM1203AACPZ-1-R7采用 20 脚 3.5mm×3.5mm QFN封装,购买链接:https://item.szlcsc.com/6026369.html
2)GM1203AACPZ-2-R7 采用20 脚 5mm×5mm QFN 封装,即将推出。

 


标签: 电源芯片
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